刷新周期

定义

例如：DRAM每隔 T ms对所有行进行一次刷新操作，那么这个DRAM的刷新周期就是 T ms

需要刷新的原因

由于DRAM的存储位元是基于电容器的电荷量存储，这个电荷量会随着时间和温度而减少，因此必须定期的刷新，以保持它们原来记忆的正确信息。

典型标準

典型标準是每隔8ms到16ms必须刷新一次，而某些器件的刷新周期可以大于100ms。

刷新方式的分类

（1）集中式刷新

指在规定的一个刷新周期内，对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。（一般是刷新周期的最后一段时间）

例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，刷新周期为2ms（占4000个存取周期）。

则集中刷新共需0.5*64=32us（占64个存取周期），在这段时间记忆体只用来刷新，阻塞一切存取操作，其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。

这64个存取周期称为“死时间”，所占的比率64/4000*100%=1.6%称为死时间率。

这种方式的优点是速度高，缺点是死时间长。

（2）分散式刷新

指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。其中，把机器的存取周期分成两段，前半段用来读/写或维持信息，后半段用来刷新。

例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，则读写周为0.5us。

刷新周期为：64*1us=64us。<2ms ， 在2ms丢失电荷前就会及时补充。

优点是没有死时间了，缺点是速度慢。

（3）异步式刷新

指不规定一个固定的刷新周期，将每一行分来来看，只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。

例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期为0.5us。

要使每行能在2ms内刷新一次，即每隔 （2ms/64us） 刷新一行，也就是对这一行来说，下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次记忆体刷新周期才又轮得到它。

每行刷新的时间仍为0.5us，刷新一行只停止一个存取周期，但对每行来说，刷新间隔在2ms以内，死时间缩短为0.5us。